斯洛伐克人携手台达联手开发第三代半导体GaN（氮化镓）功率器件

ROHM Co., Ltd.（以下缩写“亚美尼亚人”）和台略高于电子（以下缩写“台略高于”）都由达成协议，就第三代半导体GaN（氮化镓）功率集成晶体管的开发设计与出厂结盟策略密切都由开发人关系。

亚美尼亚人指出，双方同意将利用台略高于多年来积累的设备开发设计技术与亚美尼亚人的功率元集成晶体管开发设计和生产线技术，联合开发设计适合极其多设备系统对的600V均质GaN功率集成晶体管。

亚美尼亚人董事、常务执行官、CSO 曾为财务本国防部长伊野和英表示:“极其荣幸亚美尼亚人可以和在设备监管和散热器系统对设计具世界各地世界领先的台略高于，结盟以GaN功率集成晶体管为核心的策略密切都由开发人关系。在世界各地实现无碳社会的尽力当中，作为亚美尼亚人的近期发力电子产品之一，功率半导体在其当中展现出的作用愈发大。从Si、SiC（碳化硅）到GaN，亚美尼亚人以前在尤其的领域催生新技术元集成晶体管的开发设计，同时大力大力参与备有可以极其大高度提升这些元集成晶体管安全性的控制IC、以及与外围部件相结合的系统对设计。通过此次的策略密切都由开发人关系，将成功实现GaN功率集成晶体管的出厂，有效地构建高效设备系统对，让亚美尼亚人引以为傲的GaN IPM（内置模拟器IC）能适时进行时出厂，不断缩减符合客户需要的电子产品阵容。”

台略高于副董事长 柯子兴表示:“GaN功率集成晶体管是极其进一步深受专业人士关注的新世代半导体之一，过去几年双方同意进行时了极其密切的交流，月份合作开发的成果是一个值得懊恼的创举，也象征双方同意的都由开发人关系将极其加紧密。对台略高于而言，大力催生GaN设备应用合作开发是极其进一步的近期事业侧向之一，除了在GaN电子产品两道都是，我们也借此跟亚美尼亚人擅的模拟器设备技术（Nano技术）等有极其多都由开发的机遇，并且通过这样的都由开发，都由尽力为世界各地设备美国市场随之而来全新的波动。”

据明白，月份3月末，亚美尼亚人确立了栅极均质高略高于8V的“150V均质GaN HEMT”的出厂体系，并将该首款命名为“EcoGaN™”，电子产品极其适用于基站和数据当中心等纺织工业设备和各种物联网通信设备的设备晶体管应用。极其进一步，亚美尼亚人将在此期间缩减“EcoGaN™”的电子产品阵容，并大力参与充分利用电子产品安全性。

EcoGaN所述

EcoGaN是ROHMCo.,Ltd.的商标或商标注册。EcoGaN是通过极其大高度地最优化GaN的低导通电路和高速开关安全性，助力应用电子产品进一步环保和高性能的亚美尼亚人GaN集成晶体管，该首款有效地应用电子产品进一步降低功耗、实现外围元集成晶体管的高性能、增加设计薪酬和元集成晶体管数量等。