又一巨头SRAM技术路线图曝光，未来将发力500层以上NAND技术！

在近期开幕的投资者日社区活动上，西部数据发布更进一步RAID系统设计浅绿色，西数表示将与合作伙伴铠侠推出162层RAID厂家（BiCS6），以后两家公司还将发力200层以上（2XX层）RAID系统设计。

目年前RAID市场上176层RAID厂家不太可能批量单价，西数与铠侠162层RAID虽然层数远不如176层，但西数表示将转用新材料以增大存储器单元尺寸，进而增大芯片尺寸。

西数与铠侠原计划2022下半年年前开始量产162层NAND，更进一步两家公司还将推出200层以上（BiCS+）的RAID厂家，与BiCS6相比，200层以上BiCS+每个晶圆的位元将上升55%，传输速度更高60%，写入速度更高15%。

BiCS+厂家将率先应用于数据中都心科技领域，更进一步西数还将推出应用于大众科技领域的200层以上厂家（BiCS-Y）。

除此之外，西数还问及，2032年此年前还将下半年推出300层以上、400层以上与500层以上RAID系统设计。

延申阅读>>英特尔发布线程、RAID系统设计浅绿色

无独有偶，另一大存储器厂商英特尔也在投资者日社区活动上发布了除此以外线程、RAID系统设计浅绿色。

在DRAM科技领域将持续发力1β、1γ与1δ瓷，其中都英特尔原计划2022下半年年前推出1β DRAM厂家，将可为图形、HBM3和汽车等科技领域备有良好的性能指标，英特尔还将在1γ DRAM瓷中都引进EUV系统设计。

NAND Flash方面，176层NANDRAID以后，英特尔瓷数据流依序是是232层、2YY、3XX与4XX。其中都，英特尔将在2022下半年开始推出232层NAND厂家...【阅读注解】